|
САНТА-КЛАРА (шт. Калифорния) и БОЙСЕ (шт. Айдахо), 6 ноября 2006 г. – Корпорации Intel и Micron Technology Inc. объявили о том, что развитие их совместного предприятия IM Flash Technologies, занимающегося выпуском флэш-памяти класса NAND, идет с опережением графика.
С момента создания IM Flash Technologies в январе этого года был введен в строй современный завод по выпуску модулей флэш-памяти класса NAND с использованием 300-миллиметровых подложек в г. Манассас (шт. Вирджиния). Ожидается, что в самом начале следующего года завод в г. Леи (шт. Юта) также сможет приступить к производству продукции на базе 300-миллиметровых подложек. В настоящее время флэш-память класса NAND для этого совместного предприятия производится и на заводе корпорации Micron в г. Бойсе (шт. Айдахо).
Кроме того, компании Intel и Micron в июле этого года представили первые в отрасли образцы модулей флэш-памяти класса NAND, изготовленных с использованием 50-нанометровой производственной технологии. В настоящее время обе компании выпускают опытные образцы
4-гигабитных модулей флэш-памяти, создаваемые на основе 50-нанометровой производственной технологии, и начиная со следующего года планируют наладить производство широкого ассортимента продукции, включая многоуровневые модули флэш-памяти класса NAND.
И вот сейчас Intel и Micron объявили о планах расширения деятельности своего совместного предприятия в Сингапуре, в результате реализации которых в этой стране будет построен четвертый завод по выпуску модулей флэш-памяти класса NAND. Первые поставки продукции с конвейера сингапурской фабрики ожидаются во второй половине 2008 года, первоначально на ней планируется использовать 50-нанометровую производственную технологию и
300-миллиметровые подложки. Строительство нового завода в Сингапуре начнется в первой половине следующего года.
«Корпорация Micron давно ведет свой бизнес в Сингапуре, в этой стране у нас уже есть собственные производственные мощности, поэтому решение, принятое вместе с корпорацией Intel, является естественным расширением нашего позитивного опыта, – заявил Стив Эпплтон (Steve Appleton), председатель правления, главный исполнительный директор и президент корпорации Micron. – Сингапур обладает высокоразвитой инфраструктурой и высококвалифицированными специалистами, что обеспечивает прекрасные возможности для создания высоких технологий. Это идеальное место для строительства завода».
«Мы очень рады успехам, достигнутым совместным предприятием IM Flash Technologies за очень короткое время, что обеспечивает прекрасные перспективы для развития нашего бизнеса на рынке флэш-памяти класса NAND, – поделился Брайан Харрисон (Brian Harrison), вице-президент и генеральный менеджер подразделения Flash Memory Group корпорации Intel. – Благодаря нашей стратегии ежегодного ввода в эксплуатацию по одному заводу с использованием
300-миллиметровых подложек, мы определенно можем рассчитывать на одну из ведущих позиций в производстве флэш-памяти класса NAND».
Приветствуя решение двух гигантов полупроводниковой промышленности, Сионг-Гуан Лим
(Siong-Guan Lim), председатель Совета по экономическому развитию Сингапура, сказал: «После выхода на полную проектную мощность новый завод стоимостью в несколько миллиардов долларов станет крупнейшим сингапурским предприятием, выпускающим флэш-память класса NAND. Инвестиции корпораций Intel и Micron не только помогают развитию нашей полупроводниковой промышленности, но и укрепляют международные позиции Сингапура на быстро растущем рынке флэш-памяти класса NAND».
|
