Madrid, 10 de diciembre de 2008 – Intel Corporation ha concluido la fase
de desarrollo de su proceso de fabricación de la siguiente generación que va a
reducir aún más el tamaño de los circuitos del procesador hasta los 32
nanómetros (siendo un namómetro la mil millonésima parte del metro). La
compañía se está preparando para iniciar la fase de producción de esta futura
generación en el cuarto trimestre de 2009, utilizando para ello transistores de
mayor densidad, rendimiento y eficiencia energética.
Intel va
a ofrecer una gran cantidad de información técnica sobre la tecnología de
fabricación de 32 nm (entre otros asuntos) durante las presentaciones que va a
realizar en la Reunión Internacional sobre Dispositivos de Electrones
(International Electron Devices Meeting, IEDM) la semana que viene en San
Francisco. La finalización de la fase de desarrollo de la tecnología de
fabricación de 32 nm y la preparación para la producción permiten a la compañía
seguir el ritmo de sus planes ambiciosos de fabricación y comercialización de
productos, conocidos como la estrategia “tick-tock” de Intel.
Este plan gira en torno a la
presentación de una microarquitectura de procesador totalmente nueva, que se
alterna con un proceso de fabricación innovador aproximadamente cada doce
meses, poniendo de manifiesto un esfuerzo sin igual en el sector. La producción
de procesadores de 32 nm el año que viene permitiría a Intel lograr este
objetivo por cuarto año consecutivo.
El documento y la presentación sobre la tecnología de Intel
para fabricación de 32 nm describen una tecnología lógica que incorpora la
segunda generación de puerta de metal high-k, litografía
de inmersión de 193 nm para el diseño de capas de patrones esenciales y la
mejora de las técnicas para distribución de transistores. Estas prestaciones
mejoran el rendimiento y la eficiencia energética de los procesadores de Intel.
El proceso de fabricación de Intel ofrece el máximo rendimiento y la mayor
densidad de los transistores en cualquier tecnología de 32 nm implementada en
el sector.
“Nuestra
destreza en la fabricación y los productos resultantes nos han servido de ayuda
para ampliar nuestro liderazgo en rendimiento informático y en duración de baterías
para ordenadores portátiles, servidores y equipos de sobremesa basados en
tecnología de Intel”, ha afirmado Mark Bohr, Senior Fellow de Intel y director
de arquitectura e integración de procesos. “Tal y como hemos mostrado este año,
la estrategia de fabricación y la ejecución de los planes nos han ofrecido la
posibilidad de crear unas líneas de productos totalmente nuevas para
dispositivos móviles para Internet (MIDs), equipos de electrónica de consumo,
ordenadores embebidos y netbooks”.
Otros
documentos que va a ofrecer Intel en el IEDM van a describir una versión de
sistema sobre chip de bajo consumo del proceso de 45 nm de Intel; transistores
basados en semiconductores compuestos; ingeniería de substratos para mejorar el
rendimiento de los transistores de 45nm; la integración del proceso de pulido
mecánico y químico para el nodo de 45 nm y superior e integración de un
conjunto de moduladores de fotónica de silicio. Intel participará también en
unas jornadas sobre Tecnología de CMOS de 22 nm.
Acerca de Intel
Intel, el líder mundial
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